當(dāng)前位置:：主頁(yè) > TAG標(biāo)簽 > ALD
- 中科院-高濃度臭氧發(fā)生器用于ALD
中科院-高濃度臭氧發(fā)生器用于ALD 該臭氧發(fā)生器濃度可達(dá)300mg/L，搭配3S-J5000臭氧檢測(cè)儀對(duì)濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。 高濃度臭氧發(fā)生器在ALD（原子層沉積）中有廣泛的應(yīng)用。ALD是一種薄膜沉積 . . .
- ALD、半導(dǎo)體用臭氧發(fā)生器有哪些品牌
近些年半導(dǎo)體、ALD蓬勃發(fā)展，臭氧被電子工業(yè)用于形成 CVD 和 ALD 薄膜、氧化物生長(zhǎng)、光刻膠去除和多種清潔應(yīng)用。我們介紹幾款能滿足半導(dǎo)體行業(yè)用的 臭氧 發(fā)生器 。 1、美國(guó)SEMOZON A . . .
- ALD用高濃度臭氧發(fā)生器使用現(xiàn)場(chǎng)
ALD用高濃度臭氧發(fā)生器使用現(xiàn)場(chǎng) 上海某科研單位采購(gòu)北京同林代理的加拿大absolute ozone Atlas H30臭氧發(fā)生器和北京同林3S-J5000臭氧檢測(cè)儀進(jìn)行原子沉淀（ALD）實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)達(dá)到要求。 . . .
- 用于原子層沉積（ALD）的臭氧發(fā)生器
用于原子層沉積（ALD）的臭氧發(fā)生器 在納米技術(shù)和先進(jìn)材料中，原子層沉積（ALD）在薄膜和涂層的精密生長(zhǎng)中起著舉足輕重的作用。原子層沉積（ALD）以生產(chǎn)具有原子級(jí)控制的超薄高質(zhì) . . .
- 臭氧和水ALD工藝中DMACl基Al2O3膜主體中元素濃度的比較
臭氧和水ALD工藝中DMACl基Al2O3膜主體中元素濃度的比較 DMACl-臭氧作為ALD過(guò)程 在ALD工藝中，每周期生長(zhǎng)量(GPC)是描述薄膜生長(zhǎng)的重要參數(shù)。如果GPC在ALD生長(zhǎng)潛伏期后達(dá)到恒定值，則表明生 . . .
相關(guān)文章
- 同林S6000 水中臭氧濃度檢測(cè)儀
- 臭氧和水ALD工藝中DMACl基Al2O3膜主體中元素濃度的
- 大白鼠在低濃度臭氧暴露對(duì)身體的影響（臭氧實(shí)
- 如何提高臭氧溶解度
- 清華大學(xué)水利學(xué)院臭氧處理水實(shí)驗(yàn)
- 臭氧的氧化潛力
- 臭氧實(shí)驗(yàn)一體化裝置現(xiàn)場(chǎng)
- 臭氧實(shí)驗(yàn)一體化裝置
- 臭氧發(fā)生器臭氧產(chǎn)量測(cè)定法
- 臭氧發(fā)生器臭氧產(chǎn)量與臭氧濃度關(guān)系
- 文丘里注射器與氣泡擴(kuò)散器是如何工作的
- 雙極不銹鋼減壓閥（臭氧實(shí)驗(yàn)專用）
- 臭氧應(yīng)用史和發(fā)展簡(jiǎn)述
- AbsoluteOzone Atlas30 高濃度臭氧發(fā)生器材料氧化實(shí)驗(yàn)
- 臭氧進(jìn)氣流量對(duì)催化氧化效果的影響
- 中國(guó)礦業(yè)大學(xué)臭氧高級(jí)氧化實(shí)驗(yàn)
- 清華大學(xué)環(huán)境學(xué)院污水中藥物成分去除實(shí)驗(yàn)
- 礦山廢水臭氧高級(jí)催化氧化實(shí)驗(yàn)
- 臭氧發(fā)生器的臭氧濃度使用參考表怎么看
- 新型靜態(tài)混合器對(duì)臭氧水液相傳質(zhì)和羥基自由基
共 1頁(yè)5條記錄
